盛美高温SPM清洗方案关键技术获得突破

　　盛美高温SPM清洗方案关键技术获得突破 人民财讯5月25日电，据盛美上海消息，美国时间5月18日，在全球半导体表面制备与清洗领域行业盛会——SPCC2026上，盛美半导体资深专家DeepakKumar介绍...

　　盛美高温SPM清洗方案关键技术获得突破 人民财讯5月25日电，据盛美上海消息，美国时间5月18日，在全球半导体表面制备与清洗领域行业盛会——SPCC2026上，盛美半导体资深专家DeepakKumar介绍了公司的独特的高温SPM工艺，是单片高温硫酸清洗自进入市场十几年来所出现的一个重大技术突破。盛美此次公布的技术提升核心在于：高温SPM方案在15nm颗粒标准下，控制水平可低至15颗以内，显著优于市场主流方案。这一技术性能的提升，将为GAA逻辑器件以及DRAM/HBM器件的良率提升带来重要支持。